Nuevo camino hacia las sinapsis artificiales | Noticias de la Ciencia y la Tecnología (Amazings® / NCYT®)

2022-07-22 17:51:18 By : Ms. zhuang qian

Actualizada Viernes, 22 de Julio de 2022 a las 16:17:12 horas

Un apasionante campo de investigación en la inteligencia artificial, no exento de polémicas, es el que tiene como meta reproducir por medios artificiales desde el ámbito de la electrónica un cerebro humano. Ya se han ideado diversos modelos de neurona artificial, el tipo más importante de célula cerebral, y ahora una investigación ha desembocado en el diseño de sinapsis artificiales. Las sinapsis son, por así decirlo, los cables que conectan a unas neuronas con otras.

El logro es obra de científicos del Real Instituto de Tecnología (KTH) en Suecia y la Universidad de Stanford en Estados Unidos.

En diversas pruebas, unos componentes clave para lo que se conoce como memoria electroquímica de acceso aleatorio (ECRAM, por sus siglas en inglés) han mostrado una capacidad extraordinaria para complementar la tecnología clásica de transistores y contribuir a la comercialización de ordenadores con una potencia extraordinaria, basados en el modelo de red neuronal del cerebro. Estos ordenadores neuromórficos pueden ser miles de veces más eficientes energéticamente que los actuales.

En vez de depender de transistores que estén encendidos o apagados, y de la necesidad de transportar innumerables veces la información desde la memoria al procesador y viceversa, un ordenador que utilice memoria ECRAM disfrutaría de componentes capaces de tener múltiples estados, no solo dos, y también de realizar cálculos directamente, sin depender tanto del procesador.

Los prometedores componentes para memoria ECRAM que el equipo de Mahiar Max Hamedi (KTH) y Alberto Salleo (Universidad de Stanford) ha estado probando, están hechos de carburo de titanio, con un grosor del orden del átomo, por lo que se considera que es un material 2D.

Un componente para memoria ECRAM hecho de carburo de titanio 2D. (Foto: Mahiar Max Hamedi. CC BY-SA )

En los componentes de la memoria ECRAM, la conmutación se lleva a cabo mediante la inserción de iones en un canal de oxidación, un proceso que tiene ciertos paralelismos con lo que ocurre en nuestro cerebro, que también trabaja con iones.

Las nuevas memorias ECRAM reúnen cualidades muy buenas, que permitirán acelerar el progreso necesario para que los ordenadores neuromórficos salten al mercado. Aunque hay muchas otras barreras que superar antes de que los consumidores puedan comprar ordenadores neuromórficos, las nuevas memorias ECRAM constituyen un paso clave hacia esa meta.

Hamedi y sus colegas exponen los detalles de esta innovación tecnológica en la revista académica Advanced Functional Materials, bajo el título “High-Speed Ionic Synaptic Memory Based on 2D Titanium Carbide Mxene”. (Fuente: NCYT de Amazings )

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